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388 哇世界纪录又被我打破了呢求订阅（第2页）

首先根据实验现象推断可能的原因；

然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；

再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；

接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；

最后翻文献，找到解决或者替代的方法。

这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。

另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。

毕竟，检索SCI论文花费的时间可不少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。

当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。

就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLANA（计划A）扑街。

即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。

不过，许秋丝毫不慌。

因为他还有PLANB，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLANA，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。

在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。

他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组YangYang发表的。

不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。

光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。

目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。

正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。

最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。

电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。

50纳米条件下，最高效率分别为12.0%、12.1%和12.0%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。

30纳米条件下，最高效率分别为10.8%、11.0%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，效率衰减不明显，而铝作为电极的器件，效率衰减比较严重。此时器件的AVT达到了5%-10%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

20纳米条件下，最高效率分别为9.4%、10.2%和0%，金、银作为电极的器件，效率衰减仍不明显，而铝作为电极的器件，已经断路。此时器件的AVT达到了10%-20%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

10纳米条件下，最高效率分别为8.0%、9.0%和0%，金、银作为电极的器件，也开始发生分化，银电极的器件效率更高。此时器件的AVT达到了20%-40%，可见光有较大的一部分可以透过，可以较为清楚的看到器件背后的东西。

5纳米条件下，最高效率分别为5.3%、1.2%和0%，金电极器件仍然能保持一定的器件效率，而银电极器件效率直接跳水，接近于断路。此时器件的AVT达到了30%-45%，可见光有较大的一部分可以透过，可以很清楚的看到器件背后的东西。

另外，电极厚度降低的过程中，器件的效率衰减主要是因为短路电流密度降低所致，开路电压、填充因子两项参数几乎保持不变。

针对这些实验现象：

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